transistor dan kurva karakteristik dioda

transistor dan kurva karakteristik dioda

pada umumnya transistor berfungsi sebagai suatu switching (kontak on-off) adapun kerja transistor yang berfungsi sebagai switching ini selalu ada pada daerah jenuh (saturasi) dan daerah cut off.transistor dapat bekerja pada daerah jenuh dengan cara melakukan pengaturan tegangan Vb dan rangkaian pada basisnya.(tahanan Rb) dan juga tahanan bebanya (Rl) untuk mendapatkan on-off yang bergantian dengan periode tertentu dapat dilakukan dengan memberikan tegangan Vb yang berupa pulsa.
     apabila Vb=0 maka transistor off(cut off) sedangkan apabila Vb=V1 dan debgan mengatur Rb dan R1 sedemikian rupa sehingga menghasilkan arus 1B yang akan menghasilkan transistor dalam keadaan jenuh pada keadaan ini.VCE adalah kira kira sama dengan nol (Vsat=0,2 volt).bentuk output VCE yang terjadi pada gambar 23 apabila dijelaskan adalah sebagai berikut (lihat gambar 22 dan 23)pada kondisi Vb=0 harga Ic=0 dan berdasarkan persamaan lopp=Vcc+IcRi+Vce=0. dihasilkan Vce+Vcc pada kondisi Vb=Vi.harga Vce=0 dan Iv=1 saturasi untuk mendapatkan arus Ic yang cukup besar pada rangkaian switching ini Rl di desain sedemikian rupa sehingga Rl mempunyai mempunyai tahanan kecil.
            

 KURVA KARAKTERISTIK DIODA
        hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan Vak dapat dilihat pada kurva karakteristik dioda (gambar 20). gambar 20 menunjukan dua macam kurva yakni dioda germanium (ge) dan dioda silikon (si) pada saat dioda diberi bias maju yakni bila Va-k mencapai teganggan cut-in tegangan cut in ini kira kira sebesar  0,2  volt untuk dioda germanium 0,6 volt untuk dioda silikon dengan  pemberian tegangan batrai sebesar ini maka potensial penghalang (barrier potensial ) pada persambungan akan teratasi sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.
bagian kiri bawah dari grafik pada gambar 19 merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias mundur disini juga terdapat 2 kurva yaitu untuk dioda germanium dan silikon  besarnya arus jenuh mundur  (reverse saturation current)untuk dioda germanium adalah dalam orde mikro amper dalam.
   contoh ini adalah I A sedangkan untuk dioda silikon adalah dalam orde nano amper dalam dalam hal ini adalah lona apabila tegangan VA-K yang berporalitas negatip tsb dinaikan terus maka suatu saat akan mencapai tegangan patah (break down)dimana arus Is akan naik dengan tiba tiba pada saat mencapai tegangan break down ini pembawa minoritas di percepat hingga mencapai yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom kemudian elektron ini di percepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar pada dioda biasa pencapaian tegangan nya break down ini selalu di hindari karena dioda bisa rusak hubungan arus dioda  dengan tegangan dioda dapat di nytakan dalam persamaan matematis yang dikembangkan oleh W.SHOCKLEY.

sumber