DIODA

komponen aktif
* dioda semikonduktor
    Dioda semikonduktor dibentuk dengan cara menyambungkan semikonduktor tipe P dan semikonduktor tipe N.  pada saat terjadinya sambungan (junction) Pdan N.  Hole-hole pada bahan P dan elektron - elektron pada bahan tipe N di sektor sambungan cenderung untuk berkombinasi.  Hole dan elektron yang berkombinasi ini saling meniadakan, sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah pengosongan (deplrtion region).








     Oleh karena itu pada sisi "P" tinggal ion - ion akseptor yg bermuatan negatif dan sisi "N" tinggal ion-ion donor yg bermuatan positif.  Namun  proses ini tidak berlangsung terus, karena potensial dari ion - ion positif dan negatif ini akan menghalanginya.  Tegangan atau potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini di sebut dengan tegangan penghalang (barrier potensial).  Besar tegangan penghalang ini adalah 0.2 untuk germanium dan 0.6 untuk silikon.

    Suatu dioda bisa diberi bias mundur (reversi bias) atau di beri bias maju (forward bias) untuk mendapatkan karakteristik yg di inginkan.  Bias mundur adalah pemberian tegangan negatif baterai keterminal Anoda(A) dan tegangan positif ke terminal katoda (K) dari suatu dioda. Dengan kata lain, tegangan Anoda katoda Va-k adalah negatif .  Apabila tegangan positif baterai di hubungkan ke terminal anoda (A) dan negatifnya ke terminal katoda(K).  Maka dioda disebut mendapatkan bias maju.